WT6920AM
表面安装N沟道
增强型MOSFET
P B
铅（Pb ） - 免费
D1
1
3
8
漏电流
5安培
漏源电压
40电压
S1
G1
D1
7
2
D2
6
S2
产品特点：
*超级高密度电池设计低R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
<35m@V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
<62m@V
GS
= 4.5V
*简单的驱动要求
*双N MOSFET封装
* SO- 8封装
D2
最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
等级
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(1)
(T
A
=25 C)
(T
A
=70 C)
漏电流脉冲
(2)
漏源二极管的正向电流
(1)
功耗
(1)
(T
A
=25 C)
(T
A
=70 C)
最大最大结点到环境
(1)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
R
θ
JA
T
J
， TSTG
G2
4
5
1
SO-8
价值
40
团结
V
V
A
A
A
W
C / W
C
+
- 20
5
4.2
20
1.7
2
1.44
62.5
-55到150
工作结存储
温度范围
器件标识
WT6920AM=STM6920A
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
1/6
02-Aug-05
