STM690A/692A/703/704/802/805/817/818/819
后备电池切换
在电源故障的情况下，可能有必要
保持外部SRAM的内容
通过V
OUT
。与安装有备用电池
电压V
BAT
时，设备自动切换
SRAM的后备电源在V
CC
瀑布。
注意：
如果不使用备份电池，连接这两个
V
BAT
和V
OUT
到V
CC
.
这家监事会并不总是CON-
NECT V
BAT
到V
OUT
当V
BAT
大于V
CC
.
V
BAT
连接到V
OUT
（通过一个100Ω开关）
当V
CC
低于V
RST
和V
BAT
。这样做是为了
允许后备电池（例如， 3.6V的锂电池）
有较高的电压比V
CC
.
假设V
BAT
> 2.0V ，切换为V
SO
保证
该电池备份模式为V前进入
OUT
太接近重新所需的2.0V最低
liably保留最外部SRAM的数据。当
V
CC
进行回收，使用滞后来避免振荡
绕V和灰
SO
点。 V
OUT
被连接到
V
CC
通过3Ω PMOS电源开关。
注意：
后备电池可同时被除去
V
CC
是有效的，假定V
BAT
有足够的decou-
PLED （ 0.1μF典型值） ，而不会触发重危险
设置的。
表4的I /电池备份O状态
针
V
OUT
V
CC
PFI
PFO
E
E
CON
WDI
WDO
MR
RST
RST
V
BAT
状态
连接到V
BAT
通过内部开关
从V断开
OUT
残
逻辑低
高阻抗
逻辑高
看门狗定时器被禁止
逻辑低
残
逻辑低
逻辑高
连接到V
OUT
片选控制（ STM818只）
该芯片内部选通使能（ E）信号预
从损坏的外部通风口错误数据
CMOS RAM中的欠压CON-事件
DITION 。该STM818采用了串行传输
门给E到E
CON
（见
图12 ，第11页） 。
在正常操作期间（重置未确立时） ，则
传输门被启用，通过所有的E
转场。当复位有效，这条路BE-
来自禁用，防止错误数据
破坏CMOS RAM 。短期ê propaga-
化延迟给E到E
CON
使STM818来
用于大多数的μP 。如果E为低电平时， AS-复位
serts ，E
CON
依然很低一般为15μs为按照
麻省理工学院当前的写周期完成。连
E至V
SS
如果未使用。
芯片使能输入（ STM818只）
该芯片使能传输门被禁用，
E为高阻抗（禁用模式），而复位
为有效。在断电序列时，
V
CC
通过复位阈值时，芯片使能
传输门禁用和E立即为─
谈到如果在E中的电压高阻抗高。
如果E为低电平时复位断言，芯片启用
传输门会关闭AS-复位后为15μs
serts （见
图13 ，第11页） 。
这允许
当前的写周期中完成加电
下来。
产生一个复位任何时候，芯片使能
传输门保持禁用和E遗体
高阻抗（不管E活性）为
复位超时周期。当芯片使能反
使命门开启，E的阻抗AP-
梨为40Ω的电阻与负载串联在
E
CON
。通过把片烯的传播延迟
能够传输门依赖于V
CC
中，
连接到E驱动器的源阻抗，
和E中的负载
CON
。该芯片能propa-
gation延迟从50 ％生产测试
关于电子商务指向E上50 ％点
CON
使用50Ω
驱动器和一个50pF的负载电容（见
科幻gure
40 ，第28页） 。
对于最小的传播延迟，
尽量减少在E中的容性负载
CON
并使用一个
低输出阻抗的驱动程序。
芯片使能输出（ STM818只）
当芯片使能传输门是烯
体健，E的阻抗
CON
相当于一个
40Ω的电阻串联驱动E.在源
禁用模式中，传输门处于关闭状态
和活跃的上拉连接é
CON
到V
OUT
（见
图12 ，第11页） 。
这种上拉关闭时，
传输门处于开启状态。
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