电气参数
STR73xF
3.3.1
电源电流特性
如上述的电流消耗测量
图6
和
图7 。
总电流消耗
微控制器被放置在下述条件下：
●
●
所有I / O引脚的输入模式在V静态值
DD
或V
SS
（无负载）
如果明确提到，除了所有的外设都被禁止。
除一般的工作条件V
DD
和叔
A
.
表9 。
符号
总电流消耗
参数
条件
式中，f
MCLK
以MHz ， RAM中执行
运行模式
3)
f
MCLK
= 36 MHz时， RAM运行
f
MCLK
= 36兆赫，闪存执行
f
OSC
= 4兆赫，女
MCLK
= f
OSC
/ 16 = 250kHz的
主电压调节开，
LP稳压器= 2毫安，
RTC和WDG ON ，其他模块关闭。
f
RC
=高频（ CMU_RCCTL = 0x8中）
f
MCLK
= f
RC
/ 16 ， LP稳压器= 2毫安，
其他模块关闭。
f
OSC
= 4 MHz时， RC振荡器
f
RC
=高频（ CMU_RCCTL =为0x0 ）
LP稳压器= 6毫安，
RTC和WUT ON ，其他模块关闭。
内部唤醒可能的。
STOP模式
f
RC
=高频（ CMU_RCCTL = 0xF的） ，
LP稳压器= 2毫安。
武汉理工大学开。其他模块关闭。
内部唤醒可能的。
LP稳压器= 2毫安， WIU ON ，其他
模块关闭，
外部唤醒。
HALT模式
LP稳压器= 2毫安。
典型值
1)
最大
2)
单位
mA
mA
mA
7 + 1.9 f
MCLK
76
86
WFI模式
6.7
8
mA
LPWFI模式
I
DD
220
350
A
500
700
A
150
220
50
50
140
140
A
注意事项：
1.典型的数据是基于T
A
= 25 ° C，V
DD
=5V
2.数据基于特性数据，在V在产品测试
DD
最大。和T
A
= 25°C.
3. I / O的静态配置（不切换） 。 RUN模式几乎是
与温度无关。
对
相反的运行模式电流
高度依赖于应用。
在我
DDRUN
值可以是
通过以下方式申请显著降低：关断未使用的外设（默认） ，
通过内部分频器降低外周的频率，从RAM中取最常用的功能
并使用低功率模式时可能的。
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