封装特性
STR73xF
4.1.1
电源注意事项
平均芯片结温度T
J
，单位为摄氏度，可使用本计算
下面的等式：
T
J
= T
A
+ (P
D
x
Θ
JA
)
其中：
–
–
–
–
–
T
A
在℃的环境温度，
Θ
JA
是包结到环境的热阻，单位为℃ / W ，
P
D
是P的总和
INT
和P
I / O
(P
D
= P
INT
+ P
I / O
),
P
INT
是I的产物
DD
和V
DD
，以瓦特。这是在芯片内部
电力，
P
I / O
表示在输入和输出引脚的功耗;用户确定。
(1)
大部分时间用于应用P
I / O
＆ LT ; P
INT
并且可以被忽略。另一方面，
P
I / O
可以显著如果设备被配置为驱动连续的外部模块
和/或存储器。
P之间的近似关系
D
和T
J
（如果P
I / O
被忽略），由下式给出：
P
D
= K / （T
J
+ 273°C)
因此（解方程1和2） ：
K = P
D
X （T
A
+ 273°C) +
Θ
JA
X P
D2
其中：
–
K是一个常数用于特定部分，其可以从方程（3）确定
通过测量P
D
（在平衡时）为一已知
A.
使用该K的值，这些值
P的
D
和T
J
可以通过求解方程（1）和获得（2）反复进行任何
的T值
A
热特性
描述
包
LFBGA144
Θ
JA
热阻结到环境
TQFP144
TQFP100
值（典型值）
待定
40
55
° C / W
单位
(2)
(3)
表16 。
符号
36/40
