介绍
STR750Fxx STR751Fxx STR752Fxx STR755Fxx
串行存储器接口（ SMI）的
串行存储器接口是直接可以访问多达4个串行闪存器件。它可以
用于访问数据，直接执行代码或引导从外部存储器中的应用程序。
该内存的地址应为4组，每组最多16个字节。
时钟和启动
复位后或从低功耗模式退出时，CPU会通过紧邻主频
内部RC振荡器（ FREEOSC ）在大约5MHz的中心频率，因此，该应用程序
代码可以开始执行，不得延误。并行地， 4/8 MHz振荡器使能和其
稳定时间使用专用柜台监控。
振荡器失效检测实现：当时钟消失在XT1引脚时，
电路自动切换到FREEOSC振荡器，并产生一个中断。
在运行模式下， AHB和APB时钟速度可以设定在大量的不同
频率感谢PLL和各种预分频器：高达60兆赫的AHB和高达32
兆赫APB从Flash （ 64 MHz和从SRAM中取出时32兆赫）进行读取时。
在低速模式下，在AHB时钟可以显著降低以减少功率
消费。
内置时钟控制器还直接提供了48 MHz的USB时钟没有任何多余的
振荡器和PLL 。例如，从4兆赫晶体源开始，所以能够
获得并列60兆赫的AHB时钟， 48 MHz的为USB时钟和30兆赫的
APB外设。
引导模式
在启动时，启动引脚用来选择五个引导选项之一：
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从内部闪存启动
从外部串行闪存启动
从内部引导加载程序启动
从内部SRAM启动
从SMI内存可引导从串行闪存启动系统。这样，一个特定的引导
显示器可以实现。可替换地， STR750F可以从内部引导引导
装载机实现从UART引导。
电源方案
您可以连接的设备在任何根据您的应用程序通过以下方式。
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电源使用方案1：单外部3.3V电源。
在这种结构中
V
CORE
所需的内部逻辑电源由主电压内部产生
调节器和V
BACKUP
供应由低电源电压内部产生
调节器。该方案具有只需要一个3.3V电源的优点。
电源使用方案2 ：双外部3.3V和1.8V电源。
在这种结构中，
内部电压调节器通过强制VREG_DIS脚高关闭
的水平。 V
CORE
外部通过V提供
18
和V
18REG
电源引脚和
V
BACKUP
通过V
18_BKP
引脚。这项计划的目的是节省功耗
为此已经提供了一个1.8V的电源应用。
电源使用方案3 ：外部单5.0V电源。
在这种结构中
V
CORE
所需的内部逻辑电源由主电压内部产生
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