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TAS5182
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SLES045E - 2002年6月 - 修订2004年5月
板配置：
D
D
D
D
对SHS和GLS连接1R0电阻器
GV
DD
= 12 V ，PV
DD
= 40 V
10BQ060电压钳位输出节点上
TT缓冲器： L = 75 NH， C = 10 nF的， R = 5.4
220千瓦
1兆瓦
V- HBRIDGE
TAS5182
220千瓦
1兆瓦
9
22千瓦
V
OC
10千瓦
22千瓦
8
27
10千瓦
OC_HIGH
OC_LOW
VRFILT = 1.8 V
DV
DD
。在将TEMP发生OT误差电压时
终端是DV的约23％
DD
。 OT警告
解码时ERR0 = 0， ERR1 = 1，并
SHUTDOWN = 1的OT误差被解码时ERR0 = 0，
ERR1 = 1， SHUTDOWN = 0。对于一个特定的用户
应用程序确定，R 1和R的值
NTC
。典型
值是R1 = 16 kΩ的和R
NTC
= 47 k.
V- HBRIDGE
热信息
热增强型封装DCA的基础上，
56引脚HTSSOP ，但包括一导热垫（参见图7）
提供集成电路之间的有效的热接触
在PCB上。
传统上，表面贴装及电源已
互斥条件。各种按比例缩小的
TO- 220型封装引线已经形成的鸥翼
使它们适用于表面安装的应用程序。
这些软件包，但是，有两个不足之处：他们
没有解决的低轮廓的要求（ < 2mm）的
当今许多先进的系统和他们不提供
终端数量足够大，以容纳不断增加
集成。
不过，
传统
低功耗，
表面贴装封装要求功率耗散
降额，这严重限制了使用范围很多
高性能模拟电路
该PowerPADt包（热增强型
HTSSOP ）将细间距，表面贴装技术
与热性能媲美更大
功率封装。
PowerPAD封装设计优化了散热
传送到PCB上。由于小尺寸和有限的
一个HTSSOP封装的质量，热增强
通过提高热传导路径来实现该
从组件中移除热量。该散热垫
采用专利的导线框架设计，并形成
制造技术，以提供一个直接连接到
发热集成电路。当此焊盘焊接到
PCB ，在超薄良好的功耗，细间距，
能够可靠地实现表面贴装封装。看
参考4推荐的焊接过程。
民
广告
产业
垫焊
(1)
垫无焊料
(1)
图5.过电流配置电路
过热编程电路
该TAS5182器件具有温度保护
系统，该系统使用了一个外部负温度
系数（NTC）电阻作为温度传感器。
图6示出了一个典型的应用。
DV
DD
供应
3
R1
16千瓦
28
R
（ NTC）。
47千瓦
温度
TAS5182
DVDD
4
DVSS
图6.温度检测电路
温度保护系统有两个触发限制：
OT预警和OT错误。 OT报警发生时，
电压在TEMP终端是约36％
热数据
参数
结温，T
J（下标清）
工作温度Tc
p
g
p
,
热阻，
θJC
热阻，
θJA
热阻，
θJC
热阻，
θJA
0
-40
0.27
21.17
0.27
36.42
25
25
典型值
最大
150
70
85
单位
_C
_C
_C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
11
