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TAS5182
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SLES045E - 2002年6月 - 修订2004年5月
功能说明
功率级保护
该
TAS5182
设备
提供
过流，
过热，以及欠压保护
MOSFET功率级。
通道复位
复位功能使操作通电后，
重新启用一个错误事件后的操作，并禁用
在断电MOSFET输出级的开关和
静音。 RESET_AB的下降沿（左声道）
或RESET_CD （右声道）导致TAS5182
设备复位。 RESET_AB的上升沿或
RESET_CD使TAS5182器件来清除错误
锁存器和恢复正常运作。
过电流保护（ OCP ）
为了保护功率级，由于高伤害
电流为V
DS
传感系统中的实施
TAS5182设备。基于R
DS （ ON）
电源的
MOSFET和最大允许我
DS
中，电压
阈值可以被计算当中，超过时，
触发保护闩锁，使关断
端子变为低电平。此电压阈值电阻
可编程的。见
过电流的计算
电阻值
更多的细节部分。
MOSFET输出复位控制
低频/ HIZ控制终端选择是否
MOSFET输出级进入高阻抗（ Hi- Z）的
国家或超低电量状态时RESET_AB或
RESET_CD被启用。在高阻抗状态，在
低侧和高侧MOSFET的截止，导致
没有电流流过MOSFET 。这有效
断开从电源轨的负载。在
低 - 低状态，低侧MOSFET的导通时，
而高端MOSFET被关断。这将导致
低或地面信号将被输出到负载。
过温保护（ OTP ）
该TAS5182器件具有温度保护系统
使用外部负温度系数
（ NTC）的电阻作为温度传感器。见
过热编程电路
节
实施细则。
状态码头
该TAS5182器件提供输出状态端子
报告过流，过热，欠压
警告和错误。
欠压保护（ UVP ）
以在启动过程中保护功率输出级
关断，和其他可能的低电压条件下，该
TAS5182设备提供功率级欠压
保护被驱动其输出为低电平时GV
DD
is
在7五，有了TAS5182输出驱动为低电平时，
MOSFET的进入高阻状态。
关闭指示灯
关机终端指示错误事件具有
发生如过流，过温，或
欠压。关机端被拉高
当RESET_AB或RESET_CD断言。 ERR0和
ERR1终端随着SHUTDOWN端
显示警告和错误的类型。注意
SHUTDOWN是一个漏极开路信号。表1给出了一个
这些信号的功能描述。
控制端
该TAS5182器件提供输入控制端，以
重置每个音频信道，并控制电
MOSFET的输出功率级的特性。
表1. TAS5182状态信号
ERR0
0
0
0
0
1
1
1
1
ERR1
0
0
1
1
0
0
1
1
关闭
0
1
0
1
0
1
0
1
无效
过热错误（ TAS5182门输出低电平， MOSFET输出HI -Z ）
超温报警（正常工作）
过电流误差（ TAS5182门输出低电平， MOSFET输出HI -Z ）
无效
GV
DD
欠压故障（ TAS5182门输出低电平， MOSFET输出HI -Z ）
正常工作
描述
多个错误（ TAS5182门输出低电平， MOSFET输出HI -Z ）
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