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TAS5342L
SLAS558 - 2007年10月
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工作原理
电源
为了方便系统设计， TAS5342L只需要
到（典型值） 32.0 -V 12 - V电源除了
功率级电源。一个内部电压调节器
提供合适的电压电平的数字和
低电压模拟电路。此外，所有的电路
需要一个浮动电压源，例如，在高边
栅极驱动，通过内置自举容纳
电路只需要一个外部电容器的每个
半桥。
为了提供卓越的电气和
声学特征，所述PWM信号路径
包括栅极驱动器和输出级被设计成
同样的，独立的半桥。为此原因，
每个半桥都有独立的栅极驱动电源
（ GVDD_X ） ，引导销（ BST_X ） ，以及功率级
电源引脚（ PVDD_X ） 。此外，附加的引脚
（VDD）被设置为供给用于所有的公共电路。
尽管从相同的12 -V的源提供，它是
强烈建议分开GVDD_A ，
GVDD_B ， GVDD_C ， GVDD_D和VDD上
印刷电路板（PCB）由RC滤波器（见
应用图的详细信息） 。这些RC滤波器
提供推荐的高频隔离。
特别要注意，以将所有
去耦电容尽量靠近与其相关的
销越好。在之间的一般情况下，电感
电源引脚和去耦电容必须
避免使用。 （供参考，请参阅局文件
附加信息）。
对正常运转的自举电路，一个小
陶瓷电容器必须从每个连接
引导销（ BST_X ）到功率级的输出管脚
（ OUT_X ） 。当功率级的输出为低电平时，
自举电容器通过内部带电
二极管连接栅极驱动器之间power--
电源引脚（ GVDD_X ）和自举引脚。当
功率级的输出为高时，自举
电容器电位高于输出移位
势，从而提供一个合适的电压供给
为高侧栅极驱动器。在同一个应用程序
PWM开关从352的频率范围
千赫至384千赫，建议使用33 - nF的
陶瓷电容，尺寸0603或0805 ，对于
自举电源。这33 nF的电容保证
足够的能量储存，即使在最小的PWM
占空比，以保持高侧功率级FET
（ LDMOS）的其余部分期间完全开启
PWM周期。在应用程序运行在
降低开关频率，一般192 kHz时，
自举电容器，可能需要在要增加
值。
特别要注意的功率级
电源;这包括元件选择，
PCB布局和布线。如所指出的，每
半桥具有独立的功率级电源引脚
（ PVDD_X ） 。为了获得最佳的电性能，电磁干扰
合规性，以及系统的可靠性，重要的是
每个PVDD_X销解耦，用100 nF的
陶瓷电容放置在尽可能靠近到
每个电源引脚。它建议遵循在PCB
在TAS5342L参考设计的布局。为
在推荐电源的其他信息
和所需的组件，请参阅该应用程序
图本数据手册前面给出。
12 V电源应该是从一个低噪声，
低输出阻抗的电压调节器。同样地，所述
32.0 V功率级的电源被认为具有低
输出阻抗和低噪声。电源
为促进由内部序列不是关键
上电复位电路。此外， TAS5342L是
充分保护，以防止错误的功率级turnon
由于寄生栅极充电。因此，电压供给
斜坡率（ dv / dt的）是在指定的非关键
范围（见
推荐工作条件
本数据手册的部分） 。
系统上电/断电
顺序
开机
该TAS5342L不需要电
序列。在H桥的输出保持在一个
高阻抗状态，直到栅极驱动电源
电压（ GVDD_X ）和VDD的电压都高于
欠压保护（ UVP ），电压阈值（见
该
电气特性
此数据的部分
表） 。虽然没有特别的要求，这是
建议持有RESET_AB和RESET_CD在
低的状态，而该设备加电。这使得
的内部电路与外部自举充电
通过启用的弱下拉电容
半桥输出。
当TAS5342L正在与TI PWM使用
调节剂如TAS5518 ，没有特殊的
注意RESET_AB和RESET_CD状态
是必需的，只要该芯片被组态为
推荐使用。
断电
该TAS5342L不需要断电
序列。该器件仍然完全投入使用
只要栅极驱动电源（ GVDD_X ）电压，
VDD电压高于欠压保护
（UVP ）的电压阈值（见
电动
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2007 ，德州仪器
