过程
CP741V
小信号晶体管
PNP - 低VCE （ SAT）晶体管芯片
流程细节
过程
模具尺寸
模具厚度
BASE焊盘区
发射极焊盘区
顶面金属化
背面金属化
几何
每5英寸晶圆DIE总值
54,330
主体装置类型
CMLT7410
CMPT7410
CMST7410
CMUT7410
外延平面
18 ×18 MILS
7.1 MILS
3.8× 3.8 MILS
3.8× 3.8 MILS
铝/硅 - 30,000
金 - 12,000
145亚当斯大街
Hauppauge的，纽约州11788美国
联系电话： （ 631 ） 435-1110
传真： （ 631 ） 435-1824
www.centralsemi.com
R0 （ 5 2006年1月）
首页
上一页
1
下一页
尾页
共1页
