过程
小信号晶体管
NPN - 射频晶体管芯片
CP317
中央
TM
半导体公司
流程细节
过程
模具尺寸
模具厚度
BASE焊盘区
发射极焊盘区
顶面金属化
背面金属化
几何
PER 4英寸晶圆DIE总值
53,730
主体装置类型
CMPT918
2N918
2N2857
2N5179
2N5770
BFY90
PN3563
PN3564
BACKSIDE集热器
外延平面
14.5 X 14.5 MILS
9.0 MILS
2.4× 2.2 MILS
2.4× 2.2 MILS
艾尔 - 30,000
金 - 18,000
145亚当斯大街
Hauppauge的，纽约州11788美国
联系电话： （ 631 ） 435-1110
传真： （ 631 ） 435-1824
www.centralsemi.com
R2 （2002年1月）
