修改后的第51版Rev. D的COM90C66而已。
A0-A19
nSBHE
BALE
nMEMW
D0-D7或
D0-D15
nTOPL
nMEMCS16
（虚掩）
nMEMCS16
（锁定）
参数
民
典型值
最大单位
t5
t9
t6
t1
有效
t2
t8
**
t7
有效数据
t2 ***
t3
t4
t1
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
t9
地址nSBHE设立罢了低*
地址nSBHE BALE低后按住*
地址nSBHE成立nMEMW低
有效的数据设置为nMEMW高
A17 - A19为nMEMCS16低（虚掩） （ 128K RAM解码）
A11 - A19为nMEMCS16 （锁定） （ 2K RAM解码）
数据保持时间从nMEMW高
nMEMW高罢了高（下一页地址）
地址nSBHE无效nMEMCS16高
20
20
25
30
0
0
9
30
0
40
25
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
*对于锁存地址， T1和T2不适用。请参考图21，用于锁存地址
模式。
** 200ns的最小无效时间上连续的存储器写入COM90C66 。
***对于版本D设备，如果捆包拉高，然后再讨论， nSBHE必须保持20纳秒
后nMEMW低。
图16 - 写RAM周期
72
