CMT18N20
P
OWER
F
屈服
E
ffect
T
RANSISTOR
概述
这是功率MOSFET专为低电压，高
高速功率开关应用，如开关
稳压器，转换器，电磁阀和继电器驱动器。
!
!
特点
!
!
硅栅的快速开关速度
低R
DS （ ON）
尽量减少对-损失。规定在高温
温度
坚固耐用 - SOA是功耗有限公司
源极到漏极特点是用感性
负载
引脚配置
TO-220
符号
前视图
D
门
来源
漏
G
S
1
2
3
N沟道MOSFET
订购信息
产品型号
CMT18N20N220
包
TO-220
绝对最大额定值
等级
漏电流
－
连续
－
脉冲
栅极 - 源极电压
－
CONTINUE
－
不重复
总功耗
减免上述25 °
工作和存储温度范围
单脉冲漏极至源雪崩能源
－
T
J
= 25℃
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ，我
L
= 18A ，L = 1.38mH ，R
G
= 25)
热阻
－
结到外壳
－
结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
（1）脉冲宽度和频率由TJ （ max）和热响应不限
θ
JC
θ
JA
T
L
1.00
62.5
260
℃
℃/W
T
J
, T
英镑
E
AS
符号
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
价值
18
72
±20
±40
125
1.00
-55到150
224
V
V
W
W/℃
℃
mJ
单位
A
2001/11/01
草案
冠军微电子公司
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