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ICSSSTUB32864A
超前信息
V
DD
DUT
TL=50
CK输入
测试点
R
L
= 100
测试点
Vcmos
RST ＃
INP UT
t
在行动
I
DD
（见
注2 ）
负载电路
V
DD
V
DD
/2
V
DD
/2
0V
t
法案
90%
10%
电压和电流波形
输入活动和非活动时间
t
w
INPU牛逼
V
ICR
V
ICR
LVCMOS
RST ＃
输入
V
IH
V
DD
/2
t
的rPhl
t
su
INPU牛逼
V
REF
t
h
V
REF
V
IH
V
OH
产量
V
TT
V
OL
V
IL
V
ID
产量
V
TT
V
TT
CK
V
ICR
CK
t
PLH
t
PHL
V
OH
V
OL
V
ICR
CK ＃
CK
TL = 350ps ， 50Ω
OUT
C
L
= 30 pF的
（见注1 ）
R
L
= 1000
测试点
R
L
= 1000
V
ID
电压波形 - 传播延迟时间
电压波形 - 脉冲持续时间
V
ID
CK
V
ICR
CK
V
IL
电压波形 - 建立和保持时间
电压波形 - 传播延迟时间
图6 - 参数测量信息（V
DD
= 1. 8 V ± 0.1 V)
注：1。
L
incluces探头和夹具电容。
2. I
DD
与在V保持时钟和数据输入测试
DD
或GND和IO = 0毫安。
3.所有的输入脉冲提供由具有以下chareacteristics发电机： PRR
≤10
兆赫，
増= 50Ω ，输入转换速率= 1V / ns的±20％ （除非另有规定） 。
4.输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
5. V
REF
= V
DD
/2
6. V
IH
= V
REF
+ 250毫伏（交流电压等级）的差分输入。 V
IH
= V
DD
为LVCMOS输入。
7. V
IL
= V
REF
- 250毫伏（交流电压等级）的差分输入。 V
IL
= GND为LVCMOS输入。
8. V
ID
= 600毫伏
9. t
PLH
和T
PHL
相同吨
PDM
.
1166—10/05/05
9
