CEH3456
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
30V ， 5.5A ，R
DS （ ON）
= 42mΩ @V
GS
= 10V.
R
DS （ ON）
= 59mΩ @V
GS
= 4.5V.
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
坚固可靠。
被收购无铅产品。
TSOP - 6封装。
4
5
6
3
2
1
TSOP-6
S(4)
G(3)
D(1,2,5,6,)
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
30
单位
V
V
A
A
W
C
±
20
5.5
20
2.0
-55到150
最大功率耗散
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻，结到环境
b
符号
R
θJA
极限
62.5
单位
C / W
版本1 。
2005.July
8 - 38
http://www.cetsemi.com
