M34D64
与WC = 0 （数据可写）图7.写模式序列
WC
确认
字节写
DEV SEL
确认
确认
DATA IN
确认
BYTE ADDR
读/写
BYTE ADDR
WC
确认
页写
DEV SEL
确认
确认
IN 1数据
确认
IN 2数据
开始
BYTE ADDR
读/写
BYTE ADDR
WC （续）
开始
确认
页写
（续）
数据的N
确认
停止
停止
AI01106C
写操作
继启动条件总线主机发送
与RW位设备选择代码重置为0 。
该设备确认这一点，如图
如图7所示，并等待两个地址字节。该设备重
sponds每个地址字节产生确认
位，然后等待下一个数据字节（多个） 。
写入存储器可写，如果抑制
控制（ WC ）为高。任何写指令
与写控制（ WC ）高驱动（将外围时
从启动条件时荒漠化问题，直到年底
这两个地址字节）不会修改内容
内存顶部的四分之一。
在存储器中的每个数据字节都有一个16位（ 2
字节宽）地址。最高有效字节（ TA-
BLE 3 ）首先发送，其次是最不显著
字节（表4） 。位B15到B0形成的地址
字节在存储器中。
当总线主机产生一个停止条件
之后的ACK位（在“ 10
th
位“时间
插槽） ，或者在一个字节写入或页底
写，则内部存储器的写周期被触发。
在其他时段停止条件不
触发内部写周期。
在内部写周期，串行数据（ SDA ）
在内部禁用，并且该设备没有重新
有反应的任何请求。
字节写
之后，设备选择代码和地址
字节，总线主机发送一个数据字节。如果
地址位置被写保护（前1/4
内存） ，通过写控制（ WC ）是driv-
EN为高电平，该位置不被修改。公交车mas-
器终止转让所产生停止
条件下，如图7所示。
页写
页写模式，允许最多32个字节是
写在单个写入循环中，条件是它们
都位于内存中的同一个“行”中：
也就是说，最显著存储器地址的位
（的b12 - b5的）是相同的。如果有更多的字节发送比
将适合到行的结束，一个条件已知
作为“翻车”发生。应该避免这种情况，如
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