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M366S3323DTS
简化的真值表
命令
注册
模式寄存器设置
自动刷新
刷新
条目
自
刷新
出口
L
H
H
CKEn-1
CKEN
CS
PC133 / PC100无缓冲DIMM
A
11,
A
9
~ A
0
RAS
CAS
WE
DQM
BA
0,1
A
10
/ AP
记
H
H
X
H
L
H
X
X
L
L
L
H
L
L
H
X
L
H
L
L
H
X
H
L
L
H
H
X
H
H
X
X
操作码
X
1,2
3
3
X
X
X
V
V
X
行地址
L
H
COLUMN
地址
(A
0
~ A
9
)
COLUMN
地址
(A
0
~ A
9
)
3
3
银行主动&行地址。
阅读&
列地址
写&
列地址
突发停止
预充电
银行的选择
所有银行
时钟暂停或
主动关机
条目
出口
条目
预充电掉电模式
出口
DQM
没有操作命令
自动预充电禁用
自动预充电启动
自动预充电禁用
自动预充电启动
L
L
4
4,5
4
4,5
6
H
H
H
X
X
X
L
L
L
H
L
H
H
L
X
V
X
X
H
X
V
X
L
H
H
X
V
X
X
H
X
V
L
L
L
X
V
X
X
H
X
V
X
X
X
V
L
H
X
V
X
L
H
X
H
L
H
L
H
L
X
X
X
X
X
X
V
X
X
7
X
H
L
L
H
H
H
H
L
X
H
L
X
H
X
H
X
H
X
（V =有效，X =无关，H =逻辑高电平， L =逻辑低）
注意事项：
1. OP代码：操作数代码
A
0
~ A
11
& BA
0
BA
1
：程序键。 （ @太太）
只能在所有银行预充电状态下发出2.黄。
一个新的命令后，刘健的2个时钟周期发出。
3.自动刷新功能有相同的DRAM CBR刷新。
无行预充电命令预充电自然而然被"Auto"意思。
只能在所有银行预充电状态下发出的自动/自刷新。
4. BA
0
BA
1
：银行选择地址。
如果两个BA
0
和BA
1
是"Low"在读，写，行积极和预充电，银行A被选中。
如果两个BA
0
是"Low"和BA
1
是"High"在读，写，行积极和预充电，银行B的选择。
如果两个BA
0
是"High"和BA
1
是"Low"在读，写，行积极和预充电， C银行被选中。
如果两个BA
0
和BA
1
是"High"在读，写，行积极和预充电，银行D被选中。
如果一个
10
/ AP是"High"于行预充电， BA
0
和BA
1
被忽略，所有的银行都被选中。
5.在突发读取或者自动预充电，无法发出新的读/写命令写。
另一家银行的读/写命令脉冲结束后发出。
新行活动的相关银行可以在t发行
RP
脉冲串的结束之后。
6.突发停止命令是在每一个突发长度有效。
7. DQM采样一个CLK和掩模数据输入在很CLK的正边沿（写入DQM延迟为0） ，
但数据超出2 CLK周期后，使Hi-Z状态。 （读DQM延迟2 ）
REV 。 2001年九月0.1
