晶体管
2SD1280
NPN硅外延平面型
对于低电压型中等输出功率放大
单位：mm
s
特点
q
q
4.5±0.1
1.6±0.2
1.5±0.1
q
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
.
在高效率运转良好表现
低电压电源。
小功率型封装，设备的小型化使
并通过带包装和maga-自动插入
杂志包装。
(Ta=25C)
评级
20
20
5
2
1
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
C
C
2.6±0.1
0.4max.
45°
1.0
–0.2
+0.1
0.4±0.08
0.5±0.08
1.5±0.1
3.0±0.15
4.0
–0.20
0.4±0.04
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
3
2
1
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
英镑
记号
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
EIAJ ：SC- 62
迷你功率型封装
标记符号：
R
印刷电路板：为1cm铜箔区
2
以上，板
厚度1.7毫米的集电极部
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
基地发射极饱和电压
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*1
h
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 10V ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 2V ，我
C
= 500毫安
*2
V
CE
= 2V ，我
C
= 1.5A
*2
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
*2
I
C
= 1A ，我
B
= 50毫安
*2
V
CB
= 6V ，我
E
= -50mA ， F = 200MHz的
V
CB
= 6V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
150
18
*2
民
典型值
最大
1
单位
A
V
V
20
5
90
50
150
100
1.2
0.5
360
兆赫
pF
脉冲测量
FE1
等级分类
秩
h
FE1
Q
90 ~ 155
RQ
R
130 ~ 210
RR
S
180 ~ 280
RS
T
250 ~ 360
RT
标记符号
2.5±0.1
+0.25
V
V
1
