FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列4针高工作温度光电晶体管光耦合器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
正向电压
FOD814
FOD617
FOD817
I
R
C
t
反向漏电流
终端电容
FOD617
FOD817
FOD814
FOD617
FOD817
探测器
I
首席执行官
集电极暗电流
FOD814
FOD617C/D
FOD617A/B
FOD817
BV
首席执行官
集电极 - 发射极击穿
电压
FOD814
FOD617
FOD817
BV
ECO
发射极 - 集电极击穿
电压
FOD814
FOD617
FOD817
V
CE
= 20V ，我
F
= 0
V
CE
= 10V ，我
F
= 0
V
CE
= 10V ，我
F
= 0
V
CE
= 20V ，我
F
= 0
I
C
= 0.1毫安，我
F
= 0
I
C
= 100μA ，我
F
= 0
I
C
= 0.1毫安，我
F
= 0
I
E
= 10μA ，我
F
= 0
I
E
= 10μA ，我
F
= 0
I
E
= 10μA ，我
F
= 0
–
–
–
–
70
70
70
6
7
6
–
1
1
–
–
–
–
–
–
–
100
100
50
100
–
–
–
–
–
–
V
V
nA
I
F
= -20mA
I
F
= 60毫安
I
F
= 20mA下
V
R
= 6.0V
V
R
= 4.0V
V = 0 ， F = 1kHz时
V = 0 ， F = 1kHz时
V = 0 ， F = 1kHz时
–
–
–
–
–
–
–
–
1.2
1.35
1.2
0.001
–
50
30
30
1.4
1.65
1.4
10
10
250
250
250
pF
A
V
参数
设备
测试条件
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号DC特性
CTR
电流传输
比
设备
FOD814
FOD814A
FOD617A
FOD617B
FOD617C
FOD617D
FOD617A
FOD617B
FOD617C
FOD617D
FOD817
FOD817A
FOD817B
FOD817C
FOD817D
V
CE （SAT）
集电极 - 发射极
饱和电压
FOD814
FOD617
FOD817
*在T典型值
A
= 25°C
3
FOD814系列， FOD617系列， FOD817系列版本1.0.5
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测试条件
I
F
= -1mA ，V
CE
= 5V
(1)
I
F
= 10毫安，V
CE
= 5V
(1)
分钟。
20
50
40
63
100
160
TYP 。 *
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.1
–
0.1
马克斯。
300
150
80
125
200
320
–
–
–
–
600
160
260
400
600
0.2
0.4
0.2
单位
%
I
F
= 1mA时， V
CE
= 5V
(1)
13
22
34
56
I
F
= 5毫安，V
CE
= 5V
(1)
50
80
130
200
300
I
F
= -20mA ，我
C
= 1毫安
I
F
= 10毫安，我
C
= 2.5毫安
I
F
= 20mA时，我
C
= 1毫安
–
–
–
V
