位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1802页 > APTM50AM38SCTG > APTM50AM38SCTG PDF资料 > APTM50AM38SCTG PDF资料1第5页
APTM50AM38SCTG
典型MOSFET的性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.2
热阻抗（ ℃/ W）
0.9
0.16
0.7
0.12
0.08
0.04
0.5
0.3
0.1
0.05
0
0.00001
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
矩形脉冲持续时间（秒）
1
10
低电压输出特性
350
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
=10&15V
Transfert特点
250
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
＆ GT ;我
D
（上） xR的
DS
（上）最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
300
250
200
150
100
50
0
0
8V
7.5V
7V
6.5V
6V
5.5V
200
150
100
T
J
=25°C
50
T
J
=125°C
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
R
DS
（ ON）与漏电流
I
D
，直流漏电流（ A）
归一
V
GS
= 10V @ 45A
V
GS
=10V
T
J
=-55°C
25
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
，门源电压（ V）
8
R
DS
（上）漏源导通电阻
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0
直流漏电流与外壳温度
100
80
60
40
20
0
V
GS
=20V
50
100
150
200
I
D
，漏电流（ A）
www.Microsemi.com
5–8
APTM50AM38SCTG - 第2版
2006年7月
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（ ° C）
150
