1GB ， 2GB ， 4GB Registered DIMM内存模组
DDR2 DIMM登记订购信息
产品型号
M393T2863AZ3-CD5/CC
M393T2863AZA-CE6/D5/CC
M393T5663AZ3-CD5/CC
M393T5663AZA-CE6/D5/CC
M393T5660AZ3-CD5/CC
M393T5660AZA-CE6/D5/CC
M393T5168AZ0-CD5/CC
M393T5166AZA-CE6/D5/CC
密度
1GB
1GB
2GB
2GB
2GB
2GB
4GB
4GB
组织
128Mx72
128Mx72
256Mx72
256Mx72
256Mx72
256Mx72
512Mx72
512Mx72
部件组成
128Mx8(K4T1G084QA)*9EA
128Mx8(K4T1G084QA)*9EA
128Mx8(K4T1G084QA)*18EA
128Mx8(K4T1G084QA)*18EA
256Mx4(K4T1G044QA)*18EA
256Mx4(K4T1G044QA)*18EA
st.512Mx4(K4T2G064QA)*18EA
st.512Mx4(K4T2G264QA)*18EA
等级数
1
1
2
2
1
1
2
2
DDR2 SDRAM
奇偶注册
X
O
X
O
X
O
X
O
高度
30mm
30mm
30mm
30mm
30mm
30mm
30mm
30mm
注：部件号（第11位）的“Z ”代表无铅产品。
注： “3”部分的数量（第12位）代表虚设焊盘PCB产品。
注：部件号（第12位）代表奇偶注册产品"A" 。
特点
性能范围
E6(DDR2-667)
Speed@CL3
Speed@CL4
Speed@CL5
CL- tRCD的-TRP
400
533
667
5-5-5
D5(DDR2-533)
400
533
533
4-4-4
CC(DDR2-400)
400
400
-
3-3-3
单位
Mbps的
Mbps的
Mbps的
CK
JEDEC标准的1.8V ± 0.1V电源
V
DDQ
= 1.8V ± 0.1V
200 MHz的F
CK
为400MB /秒/针， 267MHz F
CK
为533MB /秒/针， 333MHz的F
CK
为667Mb /秒/针
8银行
中科院发布
可编程CAS延时： 3 ， 4 ， 5
可编程附加延迟：0， 1 ，2，3和4中
写延迟（ WL ） =读延时（ RL ） -1
突发长度： 4,8 （隔行/半字节顺序）
可编程顺序/交错突发模式
双向差分数据选通（单端数据选通是一个可选功能）
片外驱动器（ OCD ）阻抗调整
片上终端与可选值（ 50/75/150欧姆或禁用）
PASR （部分阵列自刷新）
平均更新周期7.8us在比一件T低
例
85°C ， 3.9us在85°C <牛逼
例
< 95
°C
-
支持高温度自刷新速率使得功能
??串行存在检测与EEPROM
DDR2 SDRAM封装： 68ball FBGA - 256Mx4 / 128Mx8 ， 56ball BGA - st.512Mbx4
所有无铅产品符合RoHS指令的
注：有关详细DDR2 SDRAM操作，请参考三星的设备操作&时序图。
.
地址配置
组织
256Mx4 （1GB ）基于模块
128Mx8 （1GB ）基于模块
行地址
A0-A13
A0-A13
列地址
A0-A9, A11
A0-A9
银行地址
BA0-BA2
BA0-BA2
自动预充电
A10
A10
修订版1.2 2005年9月
