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1GB ， 2GB ， 4GB Registered DIMM内存模组
参数
DQS输入高电平脉冲宽度
DQS输入低脉冲宽度
DQS下降沿到CK建立时间
DQS从CK下降沿保持时间
模式寄存器设置命令周期时间
写后同步
写序言
地址和控制输入保持时间
地址和控制输入建立时间
阅读序言
阅读后同步
符号
tDQSH
tDQSL
TDSS
tDSH
超过tMRD
tWPST
tWPRE
TIH
TIS
tRPRE
tRPST
DDR2-667
民
0.35
0.35
0.2
0.2
2
0.4
0.35
275
200
0.9
0.4
7.5
10
37.5
50
2
15
WR + tRP的
7.5
7.5
tRFC + 10
200
2
2
7 - AL
3
2
TAC （分钟）
2
TAC （最大）
+0.7
x
x
x
x
x
最大
x
x
x
x
x
0.6
x
x
x
1.1
0.6
x
x
DDR2-533
民
0.35
0.35
0.2
0.2
2
0.4
0.35
375
250
0.9
0.4
7.5
10
37.5
50
2
15
tWR的+ tRP的
7.5
7.5
tRFC + 10
200
2
2
6 - AL
3
2
TAC （分钟）
2
TAC （最大）
+1
x
x
x
x
x
最大
x
x
x
x
x
0.6
x
x
x
1.1
0.6
x
x
民
0.35
0.35
0.2
0.2
2
0.4
0.35
475
350
0.9
0.4
7.5
10
37.5
50
2
15
DDR2 SDRAM
DDR2-400
最大
x
x
x
x
x
0.6
x
x
x
1.1
0.6
x
x
单位备注
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
ps
ps
TCK
TCK
ns
ns
ns
ns
TCK
x
x
x
ns
TCK
ns
ns
ns
TCK
x
x
TCK
TCK
TCK
TCK
2
TAC （最大） +
1
TCK
ns
ns
TCK
ns
积极为1KB的页面大小活动的命令期
TRRD
制品
积极为2KB页大小活动的命令期
TRRD
制品
四激活窗口为1KB的页面尺寸产品
四激活窗口为2KB页大小的产品
CAS到CAS命令延迟
写恢复时间
自动预充电写恢复+预充电时间
内部写读命令延迟
内部读取到预充电命令延迟
退出自刷新到非读命令
退出自刷新到一个读命令
退出预充电电源关闭任何未读的COM
MAND
退出有功功率下降到读命令
退出有功功率下降到读命令（慢
出口，低功耗）
CKE最小脉冲宽度（高和低脉冲
宽）
ODT导通延迟
ODT开启
ODT开启（掉电模式）
ODT关断延迟
ODT关闭
tFAW
tFAW
TCCD
tWR的
tDAL
Twtr
tRTP
tXSNR
tXSRD
TXP
tXARD
tXARDS
Tcke
tAOND
tAON
tAONPD
tAOFD
tAOF
tWR的+ tRP的
10
7.5
tRFC + 10
200
2
2
6 - AL
3
2
TAC （分钟）
TAC （分钟） + 2tCK + TAC TAC （分钟） + 2tCK + TAC TAC （分钟） + 2tCK + TAC
2
(max)+1
2
(max)+1
2
(max)+1
2.5
TAC （分钟）
2.5
TAC （最大）
+ 0.6
2.5
TAC （分钟）
2.5
TAC （最大）
+ 0.6
2.5
TAC （分钟）
2.5
TAC （最大） +
0.6
ODT关闭（省电模式）
ODT断电进入潜伏期
ODT掉电退出延时
OCD驱动模式输出延迟
最短时间时钟CKE异步后仍开
chronously下降LOW
tAOFPD
tANPD
tAXPD
TOIT
tDELAY时间
2.5tCK+
2.5tCK+
TAC （分钟） + 2.5tCK + TA TAC （分钟） +
TAC （分钟） +
TAC （最大）
TAC （最大） +
2
C(max)+1
2
2
+1
1
3
8
0
TIS + TCK
+ TIH
12
3
8
0
TIS + TCK
+ TIH
12
3
8
0
TIS + TCK
+ TIH
12
ns
TCK
TCK
ns
ns
修订版1.2 2005年9月
