FDS8878的N-沟道PowerTrench
MOSFET
2005年6月
FDS8878
N沟道的PowerTrench
MOSFET
30V ， 10.2A ， 14mΩ
特点
r
DS （ ON）
= 14mΩ ，V
GS
= 10V ，我
D
= 10.2A
r
DS （ ON）
= 17mΩ ，V
GS
= 4.5V ，我
D
= 9.3A
高性能沟道技术极低
r
DS （ ON）
低栅电荷
高功率和电流处理能力
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
应用
DC / DC转换器
BRANDING DASH
5
5
4
3
2
1
6
7
1
2
3
4
8
SO-8
2005仙童半导体公司
FDS8878牧师A1
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