2007年1月
FDS6675
单P沟道逻辑电平的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这种P沟道逻辑电平MOSFET产生
利用飞兆半导体先进的PowerTrench
已特别针对减少流程
的导通状态电阻，但保持低栅极电荷
对于出色的开关性能。
这些器件非常适用于笔记本电脑
应用：负载开关和电源管理，
电池充电电路和DC / DC转换。
tm
特点
-11 A， -30 V.
DS （ ON）
= 0.014
@ V
GS
= -10 V,
R
DS （ ON）
= 0.020
@ V
GS
= -4.5 V.
低栅极电荷（ 30nC典型值） 。
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力。
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D
D
D
D
5
6
G
4
3
2
1
7
8
SO-8
针
1
S
S
S
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25
o
C除非另有说明
FDS6675
单位
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
（注1A ）
-30
±20
-11
-50
2.5
1.2
1
-55到150
V
V
A
W
T
J
,T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
工作和存储温度范围
°C
热特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
° C / W
2007仙童半导体公司
FDS6675 Rev.C2
