FDS5351的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
10
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 6.1A
4000
C
国际空间站
电容（pF）
V
DD
= 30V
8
6
V
DD
= 20V
V
DD
= 40V
1000
C
OSS
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
，栅极电荷（ NC）
100
C
RSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
10
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
10
I
D
,
漏电流（ A）
8
I
AS
，雪崩电流（ A）
8
V
GS
= 10V
6
25
o
C
6
V
GS
= 4.5V
T
J
=
4
T
J
= 125
o
C
4
2
R
θ
JA
= 50℃ / W
o
2
1
0.01
0.1
1
10
30
0
25
50
75
100
o
125
150
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
T
A
,
环境温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
100
P
(
PK
)
,
瞬态峰值功率（ W）
图10.最大连续漏极
电流与环境温度
1000
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
10
1ms
100
1
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
10ms
100ms
10
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
1s
10s
DC
0.01
0.01
0.1
1
10
100
300
1
0.5
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
T，脉冲宽度（秒）
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
2008飞兆半导体公司
FDS5351 Rev.C
4
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