2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDS3680
典型特征
40
I
D
，漏源电流（A ）
1.8
5V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
1.6
V
GS
=4.0V
4.5V
5.0V
6.0V
10V
1
30
4.5V
4V
1.4
20
1.2
10
3.5V
0
0
2
4
6
V
DS
，漏源电压（V ）
0.8
0
10
20
30
40
50
60
I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.12
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
2.2
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 6A
V
GS
= 10V
I
D
= 3A
1.8
0.08
T
A
= 125
o
C
0.04
T
A
= 25
o
C
1.4
1
0.6
0.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（
o
C)
0
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
40
V
DS
=5V
I
D
，漏电流（ A）
30
125
o
C
20
25
o
C
I
S
，反向漏电流（ A）
T
A
= -55 C
o
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
GS
= 0V
10
1
0.1
-55
o
C
0.01
0.001
0.0001
T
A
= 125
o
C
25
o
C
10
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
，门源电压（ V）
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS3680版本C （ W）
