FDD8796 / FDU8796的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
归
漏极至源极导通电阻
70
60
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 10V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
10
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
50
40
30
20
10
0
0
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
V
GS
= 10V
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
4
20
30
40
50
I
D
，漏电流（ A）
60
70
图1.地区特点
图2.归一导通电阻与漏
电流和栅极电压
14
归
漏极至源极导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
，导通电阻
(
m
)
I
D
= 35A
I
D
=35A
12
10
8
6
4
2
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
-40
0
40
80
120
160
o
T
J
，结温
(
C
)
200
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.归一通电阻VS结
温度
70
图4.导通电阻与栅极至源极
电压
100
I
D
，漏电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
0
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
T
J
= 175
o
C
I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V
10
T
J
= 175
o
C
1
0.1
0.01
1E-3
0.0
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
2
3
4
V
GS
，门源电压（ V）
1
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管正向
VS电压源电流
FDD8796 / FDU8796版本B
3
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