FDD6637 35V P沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
10
-V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= -14A
8
V
DS
= 10V
30V
3200
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
电容（pF）
2400
C
国际空间站
20V
6
1600
4
C
OSS
800
2
C
RSS
0
0
10
20
30
Q
g
，栅极电荷（ NC）
40
50
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性
1000
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
100
图8.电容特性
-I
D
，漏电流（ A）
100
R
DS （ ON）
极限
10
1s
10s
100s
1ms
10ms
100ms
80
单脉冲
R
θ
JA
= 96 ° C / W
T
A
= 25°C
60
1
V
GS
= -10V
单脉冲
o
R
θ
JA
= 96℃ / W
T
A
= 25 C
o
DC
40
0.1
20
0.01
0
0
1
10
-V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
，时间（秒）
图9.最高安全工作区
图10.单脉冲最大
功耗
1000
100
我（ PK） ，峰值瞬态电流（A）
单脉冲
R
θ
JA
= 96 ° C / W
T
A
= 25°C
80
I
（AS）
，雪崩电流
100
T
J
= 25 C
o
60
40
10
20
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
1
0.001
0.01
0.1
t
AV
，时间AVANCHE （毫秒）
1
10
t
1
，时间（秒）
图11.单脉冲最大峰值
当前
图12.非钳位感应
交换能力
FDD6637版本C （ W）
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