
APTM50DHM35
延迟时间 - 电流
80
70
t
D(上)
和T
D(关闭)
(纳秒)
60
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80 100 120 140 160
I
D
,漏电流( A)
开关能量VS电流
6
开关能量(mJ )
5
4
3
2
1
0
0
20
40 60 80 100 120 140 160
I
D
,漏电流( A)
开关能量(mJ )
V
DS
=333V
R
G
=1
T
J
=125°C
L=100H
V
DS
=333V
R
G
=1
T
J
=125°C
L=100H
上升和下降时间 - 电流
160
140
120
t
r
和T
f
(纳秒)
100
80
60
40
20
0
0
20
40 60 80 100 120 140 160
I
D
,漏电流( A)
V
DS
=333V
R
G
=1
T
J
=125°C
L=100H
TD (关闭)
t
f
t
r
TD (上)
开关能量VS栅极电阻
10
V
DS
=333V
I
D
=99A
T
J
=125°C
L=100H
E
on
8
6
4
2
0
0
E
关闭
E
on
E
关闭
5
10
15
20
25
栅极电阻(欧姆)
源极到漏极二极管的正向电压
1000
工作频率与漏电流
400
频率(kHz )
350
300
250
200
150
100
50
0
10
20
30 40 50 60 70
I
D
,漏电流( A)
80
90
V
DS
=333V
D=50%
R
G
=1
T
J
=125°C
I
DR
,反向漏电流( A)
450
100
T
J
=150°C
T
J
=25°C
10
1
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
V
SD
,源极到漏极电压( V)
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APT的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。中美和国外专利正在申请中。版权所有。
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APTM50DHM35 - 修订版2004年5月1日