APTM50HM38F
R
DS
（上） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
击穿电压与温度
BV
DSS
，漏源击穿
电压（归）
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
阈值电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
I
D
，漏电流（ A）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
电容VS漏极至源极电压
100000
西塞
C，电容（pF ）
10000
科斯
1000
CRSS
100
V
GS
，门源电压（ V）
1000
限于由R
DSON
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
在电阻与温度
V
GS
=10V
I
D
=45A
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
最大安全工作区
100
限于由R
DS
on
100s
10
单脉冲
T
J
=150°C
1
1
1ms
10ms
100ms
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
栅极电荷VS门源电压
14
V
CE
=100V
I
D
=90A
12吨= 25°C
J
V =250V
CE
10
8
6
4
2
0
0
40
80 120 160 200 240 280 320
栅极电荷（ NC）
V
CE
=400V
10
0
10
20
30
40
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
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APTM50HM38F-版本2004年5月1日
