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ESMT
页写周期，在不同的银行@Burst长度= 4
0
时钟
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
M52D32162A
15
16
17
18
19
CKE
高
CS
RAS
CAS
*Note2
ADDR
RAA
CAA
RBB
CBB
CAC
CBD
BA
A10/AP
RAA
RBB
DQ
DAa0
DAa1
DAa2
DAa3
DBb0
DBb1
DBB2 DBB3
DAc0
DAc1
DBd0
DBd1
t
CDL
WE
t
RDL
*Note1
DQM
行活动
（A银行）
行活动
（ B-银行）
写
（A银行）
写
（ B-银行）
写
（A银行）
写
（ B-银行）
预充电
（两岸）
：无所谓
*注： 1.To由行预充电中断突发写入， DQM应置掩盖无效的输入数据。
2.To中断突发写入由行预充电，同时写和预充电银行必须是相同的。
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
五月。 2007年
调整
:
1.4
18/30
