ESMT
预充电命令
（ CS ， RAS ，
WE
=低， CAS =高）
初步
M52S128168A
该命令将开始银行通过BA1和BA0选择预充电操作
（BS） 。当A10为高电平时，所有银行预充电，无论BA1和BA0的。
当A10为低，只有BA1和BA0选择的银行进行预充电。
这个命令后， DRAM不能接受激活命令到
吨预充电期间银行
RP
（预充电来激活指令周期） 。
这个命令对应于一个常规的DRAM的RAS的上升沿。
写命令
（ CS ， CAS ，
WE
=低， RAS =高）
如果模式寄存器在突发写入模式下，该命令将开始破灭
由列地址指定的地址开始的字符组写操作。第一
写在突发数据可以输入与上下面的后续数据这个命令
时钟。
读命令
（ CS ， CAS =低， RAS ，
WE
=高）
读取数据是可用的已经达到CAS延迟时间要求后，
这条命令设置了列地址给突发起始地址。
晶豪科科技有限公司
出版日期：五月。 2007年
修订： 1.0
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