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M58PR256J
M58PR512J
256兆或512兆比特（ X16 ，多银行，多层次，突发）
1.8 V电源闪存
特点
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电源电压
– V
DD
= 1.7至2.0V为编程，擦除和
读
– V
DDQ
= 1.7 V至2.0 V的I / O缓冲器
– V
PP
= 9 V快速程序
同步/异步读取
- 同步突发读取模式：
108兆赫， 66兆赫
- 异步页读模式
- 随机访问： 96纳秒
编程时间
- 4.2 μs的典型的Word程序时使用
缓冲增强工厂计划
命令
存储器组织
- 多组内存阵列： 32兆位
银行（ 256兆位的设备） ; 64兆位银行
（ 512兆位的设备）
- 四个扩展闪存阵列（ EFA）的块
64千位
双重运作逻辑
- 编程/擦除一个银行，而读
OTHERS
- 读写之间无延迟
操作
块锁定
- 所有的块锁定在上电时
- 模块的任意组合可以被锁定
零延迟
- 对于WP块锁向下
- 绝对的写保护与V
PP
= V
SS
该M58PRxxxJ存储器仅可作为一种多芯片封装设备的一部分。
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没有单独包装
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安全
- 64位的唯一设备号
- 2112位用户可编程OTP细胞
通用闪存接口（ CFI ）
每座10万编程/擦除周期
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 256兆位的设备： 8818
- 512兆位的设备： 8819
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2006年12月
REV 3
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www.st.com
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