STB7NB60
N - CHANNEL 600V - 1.0 OMH - 7.2A - 我
2
PAK / D
2
PAK
的PowerMESH MOSFET
TYPE
STB7NB60
s
s
s
s
s
V
DSS
600 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 1.2
I
D
7.2 A
典型
DS （ ON）
= 1.0
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
3
3
12
1
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中， SGS - Thomson还设计了一个
功率MOSFET具有先进的家庭
出色的表现。新专利
未决带布局再加上公司的
专有的边缘终端结构，给出了
单位面积最低的RDS（on ） ，特殊的雪崩
和dv / dt性能和无与伦比的栅极电荷
和开关特性。
应用
s
大电流，高开关速度
s
开关模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
I
2
PAK
TO-262
（后缀“-1” ）
D
2
PAK
TO-252
（后缀“ T4 ” ）
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
吨OT
的dv / dt （
1
)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25 C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25 C
降额F演员
峰值二极管恢复电压斜率
存储牛逼emperature
马克斯。操作摄像结温
o
o
o
价值
600
600
±
30
7.2
4.5
28.8
125
1.0
4.5
-65到150
150
(
1
) I
SD
≤
图7A中， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
UNI吨
V
V
V
A
A
A
W
W / C
V / ns的
o
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1998年6月
1/8
