V96BMC Rev.D
表8 ：直流操作规范VCC3 = 3.3伏和VCC = 5伏
符号
V
OL
V
OH
I
OZL
I
OZH
I
CC
（最大）
描述
低电平输出电压
高电平输出电压
低电平输入浮动
泄漏
高位浮动输入
泄漏
最大电源电流
条件
V
IN
= VCC3
I
OL
= 12毫安
V
IN
= VCC3
I
OL
= -12毫安
V
IN
= VCC2
V
O
= GND
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
O
=4.46V
连续的简单访问
连续的突发访问
2.4
-10
10
140
40
民
最大
0.4
单位
V
V
A
A
mA
4.0交流规范
表9 ：AC测试条件
符号
Vcc3/Vcc
V
CC3
V
IN
C
OUT
电源电压
电源电压时， 3.3伏DRAM接口
面操作
1
（VCC仍如上）
输入低电压和高电压
输出容性负载和I / O引脚
参数
范围
4.75至5.25
3.0 3.6
0.4和4.25
50
单位
V
V
V
pF
1.为3.3伏DRAM intreface操作。 （参见注8表11 ）
表10 ：电容的降额输出和I / O引脚
输出驱动限制
12毫安
12毫安
电源电压
VCC = 5伏， VCC3 = 3.3伏
VCC = 5伏， VCC3 = 5伏
降额
0.06纳秒/ pF适用于负载> 50 pF的
0.04纳秒/ pF适用于负载> 50 pF的
10
V96BMC版D数据手册Rev 3.2
版权所有 1998年， V3半导体公司
