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OPA333A -EP ， OPA2333A -EP
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SGLS383B - 2007年4月 - 修订2008年6月
3V
+5V
负载
R
1
4.99k
R
2
49.9k
R
6
71.5k
I
负载
R
分流
1
R
3
4.99k
OPA333A
R
4
48.7k
ADS1100
R
N
56
I
2
C
R
N
56
REF3130
V
流浪接地回路电阻
R
7
1.18k
（ PGA增益= 4 ）
FS = 3.0V
注： 1 ％的电阻提供足够的共模抑制在小接地回路的错误。
图5.低端电流监控器
R
G
R
分流
齐纳
(1)
R
1(2)
10k
V+
OPA333A
+5V
MOSFET的额定
对峙电源电压
如BSS84的
高达50V 。
V+
齐纳二
偏置方法
示。
(3)
产量
负载
R
BIAS
R
L
注： （ 1 ）齐纳额定运放的供电能力（也就是5.1V的OPA333 ） 。
（2）限流电阻。
（ 3 ）选择齐纳二极管偏置电阻或双NMOS场效应管（ FDG6301N ， NTJD4001N ，或Si1034 ）
图6.高边电流监视器
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