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8Mb
SMART 3 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
FL灰内存
MT28F008B3
MT28F800B3
只有3V ，双电源（智能3 ）
特点
十一擦除块：
16KB / 8K字引导块（保护）
两个8KB / 4K字的参数块
八个主存块
智能3技术（ B3 ） ：
3.3V ±0.3V V
CC
3.3V ±0.3V V
PP
应用程序编程
5V ±10% V
PP
应用/生产编程
1
兼容0.3微米的智能设备3
先进的0.18微米CMOS浮栅工艺
地址访问时间：为90ns
100,000次擦除周期
业界标准引脚
输入和输出完全兼容TTL
自动写入和擦除算法
双循环写/擦除序列
TSOP ， SOP及FBGA封装选项
字节或字宽READ和WRITE
（ MT28F800B3 ） ：
1梅格×8 / 512K ×16
40引脚TSOP I型48引脚TSOP I型
44引脚SOP
选项
时机
为90ns存取
配置
1梅格×8
512K X 16/1梅格×8
引导块起始字地址
顶（ 7FFFFH ）
底部（ 00000H ）
工作温度范围
商用（ 0℃至+ 70℃ ）
扩展级（-40 ° C至+ 85°C ）
包
40引脚TSOP I型（ MT28F008B3 ）
48引脚TSOP I型（ MT28F800B3 ）
44引脚SOP （ MT28F800B3 ）
注意：
记号
-9
概述
MT28F008B3
MT28F800B3
T
B
无
ET
VG
WG
SG
该MT28F008B3的（x8）和MT28F800B3 （ X16 / X8 ）是
低电压，非易失性，电块擦除（闪光） ，
含8388608位可编程存储器件
组织为524288个字（ 16位）或1,048,576字节（8
位）。写入和擦除的设备与V完成
PP
电压3.3V或5V ，而所有的操作都
采用3.3V V进行
CC
。由于工艺技术
进步， 5V V
PP
是最佳的应用和生产
编程。这些设备均选用美光科技公司
先进的0.18微米CMOS浮栅工艺。
该MT28F008B3和MT28F800B3组织
到11分别可擦除块。以确保
关键的固件被意外删除或保护
覆盖，该器件具有硬件保护
引导块。该块可以被用来存储代码imple-
mented在低级别系统恢复。其余
块而变化的密度和写入和擦除
没有额外的安全措施。
请参考美光公司网站（ www.micron.com/flash ）
最新的数据表。
1.这一代的设备不支持12V V
PP
生产编程;然而， 5V V
PP
应用
生产编程可以在不损失可以使用
性能。
产品编号举例：
MT28F800B3WG - 9 BET
8MB 3智能引导块闪存
Q10_3.p65 - 修订版3 ，酒吧。 10/01
1
2001年，美光科技公司
产品与这里讨论的规格如有美光更改，恕不另行通知。
