TSM1N60S
600V N沟道功率MOSFET
热性能
参数
（从案例1/8“ ）焊接温度
热阻 - 结到环境
注：表面安装在FR4板上吨
≤
10sec
符号
T
L
R
JA
极限
10
50
单位
o
S
C / W
电气规格
(Ta=25
o
C，除非另有说明）
参数
条件
符号
民
600
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
11
--
--
--
5
--
4.5
1.1
2
155
20
3
10
20
25
24
最大
--
13
4.0
10
± 100
--
1.5
6
--
--
200
26
4
30
50
45
60
单位
V
Ω
V
uA
nA
S
V
STATIC
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
BV
DSS
漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.3A
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS （ TH）
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
I
DSS
门体漏
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
I
GSS
正向跨导
V
DS
≧50V,
I
D
= 0.3A
g
fs
二极管的正向电压
I
S
= 1A ，V
GS
= 0V
V
SD
b
动态
总栅极电荷
Q
g
V
DS
= 400V ，我
D
= 1A,
栅极 - 源电荷
Q
gs
V
GS
= 10V
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
输入电容
C
国际空间站
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
输出电容
C
OSS
F = 1.0MHz的
反向传输电容
C
RSS
c
开关
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
V
GS
= 10V ，我
D
= 1A,
t
r
V
DS
= 300V ，R
G
= 6Ω
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
f
注意事项：
一。脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％
B 。仅供设计参考，未经生产测试。
。开关时间基本上是独立的工作温度。
nC
pF
nS
2/6
版本： A07
