TSM2301
20V P沟道MOSFET
电气规格
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
a
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
GS
= ±8V, V
DS
= 0V
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V
V
DS
= -10V, V
GS
= -5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.8A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -2.0A
V
DS
= -5V ，我
D
= -4A
I
S
= -0.75A ，V
GS
= 0V
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
民
-20
-0.45
--
--
-6
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
--
--
85
122
6.5
- 0.8
5.4
0.8
1.1
447
127
80
5
19
95
65
最大
--
-0.95
±100
-1.0
--
130
190
--
-1.2
10
--
--
--
--
--
25
60
110
80
单位
V
V
nA
A
A
mΩ
S
V
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
b
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
c
V
DS
= -6V ，我
D
= -2.8A,
V
GS
= -4.5V
V
DS
= -6V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
nC
pF
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
V
DD
= -6V ，R
L
= 6Ω,
I
D
= -1A ，V
根
= -4.5V,
R
G
= 6Ω
nS
关断下降时间
t
f
注意事项：
一。脉冲测试： PW = 300μS ，占空比= 2 ％
B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。开关时间基本上是独立的工作温度。
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版本： A07
