TSM4433
20V P沟道MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(mΩ)
90 @ V
GS
= -4.5V
-20
110 @ V
GS
= -2.5V
150 @ V
GS
= -1.8V
SOP-8
针脚定义：
1.源
2.源
3.源
4.门
5 ，6，7 ， 8，漏极
I
D
(A)
-3.9
-3.2
-2.6
特点
●
●
高级的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
框图
应用
●
●
DC- DC转换器
异步降压转换器
P沟道MOSFET
订购信息
产品型号
TSM4433CS RL
包
SOP-8
填料
2.5Kpcs / 13 “卷轴
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@4.5V.
漏电流脉冲，V
GS
@4.5V
连续源电流（二极管传导）
最大功率耗散
工作结温
工作结存储温度范围
A，B
o
o
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
TA = 25℃
TA = 75℃
极限
-20
±8
-3.9
-10
-1.2
2.5
1.3
+150
- 55 + 150
单位
V
V
A
A
A
W
o
o
C
C
热性能
参数
结到脚（漏）热阻
结到环境热阻（PCB安装）
注意事项：
一。脉冲宽度有限的最高结温
B 。表面安装在FR4板，T
≤
10秒。
符号
R
JF
R
JA
极限
19
40
单位
o
o
C / W
C / W
1/7
版本： A07
