初步
TSM4416D
30V双N沟道MOSFET
电气规格
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
a
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
≥
5V, V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6A
V
DS
= 5V ，我
D
= 8.5A
I
S
= 1A ，V
GS
= 0V
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
民
30
1
--
--
40
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
1.8
--
--
--
15.5
23
23
0.71
19
9.36
4.2
1040
180
110
5.2
4.4
17.3
3.3
最大
--
3
±100
-1.0
--
19
28
--
1.0
24
12
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
V
nA
A
A
mΩ
S
V
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
b
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
c
V
DS
= 15V ，我
D
= 8.5A,
V
GS
= 5V
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
nC
pF
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
V
DD
= 15V ，R
L
= 1.8Ω,
I
D
= 1A ，V
根
= 10V,
nS
R
G
= 3Ω
关断下降时间
t
f
注意事项：
一。脉冲测试： PW
≤300S,
占空比
≤2%
B 。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。开关时间基本上是独立的工作温度。
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版本：初步
