TSM9926D
20V双N沟道MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(mΩ)
20
30 @ V
GS
= 4.5V
40 @ V
GS
= 2.5V
SOP-8
针脚定义：
1.源1
8.排水
2.门1
7.排水
3.源2
6.排水
4.门2
5.排水
1
1
2
2
I
D
(A)
6.0
5.2
特点
●
●
高级的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
框图
应用
●
●
专为锂的电池组
电池开关的应用
订购信息
产品型号
TSM9926DCS RL
包
SOP-8
填料
2.5Kpcs / 13 “卷轴
双N沟道MOSFET
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
最大功率耗散
工作结温
工作结存储温度范围
A，B
o
o
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
TA = 25℃
TA = 75℃
极限
20
±12
6
30
1.7
1.6
1.1
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
o
o
C
C
热性能
参数
结到外壳热阻
结到环境热阻（PCB安装）
注意事项：
一。脉冲宽度有限的最高结温
B 。表面安装在FR4板，T
≤
5秒。
符号
R
JC
R
JA
极限
40
77
单位
o
o
C / W
C / W
1/6
版本： A07
