TSM9435
-30V P沟道增强型MOSFET
引脚分配：
1.源
2.源
3.源
4.门
5 ，6，7 ， 8，漏极
V
DS
= -30V
R
DS （ ON）
， V GS @ -10V ， IDS @ -5.3A =的60mΩ
R
DS （ ON）
， V GS @ -4.5V ， IDS @ -4.2A = 90mΩ
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
充分界定雪崩电压和电流
改进直通FOM
框图
P沟道MOSFET
订购信息
产品型号
TSM9435CS
填料
磁带&卷轴
2500 /每卷
包
SOP-8
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流，
脉冲漏极电流，
最大功率耗散
TA = 25
o
C
TA = 70
o
C
工作结温
工作结存储温度范围
T
J
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
极限
-30V
±20
-5.3
-20
2.5
1.3
+150
- 55 + 150
单位
V
V
A
A
W
o
o
C
C
热性能
参数
结到脚（漏）热阻
结到环境热阻（PCB安装）
注：表面安装在FR4电路板t< = 10秒。
符号
R
θJF
R
θJA
极限
30
50
单位
o
o
C / W
C / W
TSM9435
1-3
2005/06年度转。
