U631H16
设备操作
该U631H16具有两个单独的操作模式：
SRAM模式和非易失性模式。在SRAM模式，
内存作为一个标准的快速静态RAM 。在
不消失模式，数据从SRAM中转移到
EEPROM （存储操作），或者从EEPROM中
SRAM （调用操作） 。在这种模式下的SRAM
功能被禁止。
SRAM读
该U631H16执行一个读周期时E和
G为低，而W为高。地址指定的
引脚A0 - A10决定了的2048个字节的数据
将被访问。当读取由开始
地址转换，输出将是一个延迟后有效
的t
cR
。如果读取用E或G发起，输出将
是在t有效
一（ E）
或者在t
一（ G）
，以较迟者为准。数据
输出将反复响应地址变更
内的T
cR
无需转换的存取时间
在任何控制输入引脚，并且将一直有效，直到
另一个地址变更，或直到E或G被带到
高或W变为低电平。
SRAM写
写周期完成时E和W分别
低。地址输入之前必须是稳定的
进入写周期，必须保持稳定，直到
的ei -疗法东或者西变为高电平在周期的末端。该
引脚DQ0数据 - 7将被写入，如果它的记忆
有效吨
SU（ D）
在W控制的写在年底前或
t
SU（ D）
一个E控制的写在年底前。
所以建议G的过程中保持高
整个写周期，以避免对数据总线争用
通用I / O线。若G是左低，内部电路会
关闭输出缓冲器吨
DIS （ W）
W后变低。
噪声的考虑
该U631H16是高速存储器，所以它
必须具有了适当的高频旁路电容器
ximately 0.1
μF
连接V之间
CC
和V
SS
运用
引线和迹线是尽可能地短。如同
所有的高速CMOS集成电路，正常当心路由
电源，接地和信号将有助于防止噪音亲
blems 。
非易失性软件商店
该U631H16软件控制STORE周期
由六个执行顺序读周期开始
具体地址位置。依靠读周期
只是，在U631H16实现非易失性操作
同时保持与标准兼容2K ×8
的SRAM 。在商店周期，预的擦除
vious非易失性数据是第一
沙头角管制＃ ML0042
进行，随后的所有非并行编程
挥发性元素。一旦一条STORE周期开始，进一
疗法的输入和输出被禁止，直到循环
完成。
因为地址的序列被用于商店
开始时，重要的是，没有其他的READ或WRITE
存取介入的序列或该序列中
将被中止，并没有存储或调用会
的地方。
启动存储周期以下READ
序列必须执行：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
000
555
2AA
7FF
0F0
70F
（十六进制）
（十六进制）
（十六进制）
（十六进制）
（十六进制）
（十六进制）
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
发起STORE
一旦该序列中的第六个地址已
输入后， STORE周期将开始和芯片
将被禁用。读取周期，这是很重要的
不写周期的顺序使用。它不是
必要G是低的顺序是有效的。
的T后
商店
周期已经完成，该SRAM
将再次被激活，读取和写入操作。
软件非易失性召回
EEPROM数据的召回循环到SRAM
启动与读取操作的顺序
方式类似于STORE启动。要启动
RECALL周期读操作的顺序如下
业必须被执行：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
000
555
2AA
7FF
0F0
70E
（十六进制）
（十六进制）
（十六进制）
（十六进制）
（十六进制）
（十六进制）
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
启动召回
在内部，召回是一个两步的过程。首先，将
SRAM的数据被清除，并且第二非易失性
信息被传输到SRAM单元。该
在没有办法调用操作改变的数据
EEPROM单元。非易失性数据可被调用的
的次数不受限制。
自动上电RECALL
上电时，一旦V
CC
超过检测电压
V
开关
，召回会自动启动。该
电压在V
CC
脚不能FROP belwo V
开关
一旦它已经上升它上面，以便使调出到
运行正常。由于这种自动调出，
SRAM操作不能开始，直到吨
恢复
后
V
CC
超过V
开关
.
1.0版
2006年3月31日
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