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NEC的NPN硅射频
双晶体管
特点
低电压，低电流工作模式
封装尺寸小：
1.2毫米X 0.8毫米
高度低简介：
只是0.50毫米高
1
6
0.4
UPA895TD
外形尺寸
（以毫米单位）
封装外形TD
（ TOP VIEW ）
1.0±0.05
0.8
+0.07
-0.05
（ TOP VIEW ）
0.15±0.05
两个低噪声晶体管振荡器：
0.8
C1
1
Q1
6
B1
KP
NE851
IDEAL 1-3千兆赫OSCILLATORS
1.2
+0.07
-0.05
2
5
E1
0.4
2
Q2
5
E2
3
4
C2
3
4
B2
描述
NEC的UPA895TD包含两个NE851高频硅
双极芯片。该NE851是一个优秀的振荡器芯片， featur-
荷兰国际集团的低1 / f噪声和高的抗推动作用。 NEC的
新的超小型封装的TD是适合于所有便携式无线
应用中减少电路板空间是一个主要的考虑 -
通报BULLETIN 。每个晶体管的芯片独立安装和
轻松配置振荡器/缓冲放大器等
应用程序。
引脚连接
1.收集器（ Q1 ）
2.发射器（ Q1 ）
3.收集器（ Q2 ）
4.基地（ Q2 ）
5.发射器（ Q2 ）
6.基地（ Q1 ）
0.5±0.05
订购信息
产品型号
UPA895TD-T3-A
QUANTITY
10000件/卷
包装
磁带&卷轴
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
CRE
|S
21E
|
2
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 10 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
直流电流增益
1
在V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
增益带宽在V
CE
= 1 V，I
C
= 15 mA时， F = 2 GHz的
反馈电容
2
在V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
插入功率增益在V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
GHz的
pF
dB
dB
dB
3.0
4.5
单位
nA
nA
100
5.0
120
6.5
0.6
4.0
5.5
1.9
2.5
0.8
民
UPA895TD
TD
典型值
最大
600
600
145
Q1和Q2的
|S
21
|S
21E
|
2E
|
2
插入电源GainIat V
CE
= 1 V，I
C
= 15 mA时， F = 2 GHz的
NF
噪声系数在V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
注意事项： 1，脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
s,
占空比
≤
2 %.
当用电容表（自动平衡电桥法）测定2.集电极基极电容，与发射器连接到
的电容计后卫脚。
美国加州东部实验室
0.125
+0.1
-0.05
