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2SK2958(L),2SK2958(S)
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-568B （ Z）
3 。版
1998年6月
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 5.5mΩ （典型值） 。
4V栅极驱动装置。
高速开关
概要
LDPAK
4
D
4
1
G
1
2
3
2
3
S
1.门
2.漏
3.源
4.漏
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