晶体管
MSG33002
的SiGe HBT型
对于低噪声射频放大器
0.33
+0.05
–0.02
0.10
+0.05
–0.02
单位：mm
■
特点
之间的高击穿电压和高的截止兼容频
昆西
低噪声，高增益放大
适用于多功能数码复印机的高密度安装和小型化
换货的超小型封装
0.8 mm
×
1.2毫米（高0.52毫米）
3
0.15分钟。
0.80
±0.05
1.20
±0.05
0.52
±0.03
0-0.01
5
(0.40) (0.40)
0.80
±0.05
1.20
±0.05
5
0.15分钟。
0.23
+0.05
–0.02
1
2
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
集电极耗散功率*
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
9
6
1
60
100
125
55
to
+125
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
SSSMini3 -F1套餐
标识标志： 5T
注）*：铜板的集电极是5.0厘米
2
上基板以10mm
×
12
mm
×
0.8 mm.
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
跃迁频率
正向传输增益
噪声系数
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
f
T
S
21e
2
NF
C
ob
条件
V
CB
=
9 V，I
E
=
0
V
CE
=
6 V，I
B
=
0
V
EB
=
1 V，I
C
=
0
V
CE
=
3 V，I
C
=
6毫安
V
CE
=
3 V，I
C
=
20毫安，女
=
2 GHz的
V
CE
=
3 V，I
C
=
20毫安，女
=
2 GHz的
V
CE
=
3 V，I
C
=
6毫安，女
=
2 GHz的
V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
7.5
100
19
10.5
1.4
0.4
2.0
0.7
民
典型值
最大
1
1
1
220
单位
A
A
A
GHz的
dB
dB
pF
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
0.15最大。
出版日期： 2004年10月
SJC00293BED
1
