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过时的
4,8的MEG ×36
奇偶DRAM的SIMM
快速页模式
快速页模式操作允许更快的数据操作
行动（读或写）在一个行地址定义（ A0 -
A10）页边界。快速页面模式的周期是
总是与一个行地址选通发起，由RAS ＃
接着是列地址选通，在由CAS＃ 。 CAS ＃
可翻转式握住RAS ＃ LOW和选通式
不同的列地址，因此执行速度更快的内存
周期。返回RAS ＃ HIGH终止快速页面
模式的操作。
在RAS ＃高电平时间。存储器单元中的数据被保持在其
正确的状态，以保持权力和执行任何
RAS ＃循环（读，写）或RAS ＃刷新周期（ RAS ＃
ONLY ， CBR或隐藏） ，这样所有的2048组合
RAS ＃地址（ A 0 - A10）执行至少每32毫秒，
不管顺序。在CBR刷新周期将在 -
voke自动RAS＃寻址的刷新计数器。
X18配置
对于X18的应用程序，相应的DQ和CAS ＃
引脚必须连接在一起（ DQ1到DQ19 ， DQ2
到DQ20等等，并CAS0 ＃为CAS2 ＃和CAS1 ＃为
CAS3 ＃）。每个RAS ＃ ，然后银行选择了X18内存
组织。
刷新
返回RAS ＃和CAS ＃ HIGH终止内存
周期和减小芯片的电流来降低待机水平。
此外，该芯片是在预处理的下一个周期
功能框图
MT12D436 （ 16MB ）
DQ1
DQ9
DQ10
DQ18
DQ1-4
WE＃
U1
CAS0#
RAS0#
CAS ＃
RAS ＃
OE ＃ A0 -A10
DQ1-4
WE＃
U2
CAS ＃
RAS ＃
OE ＃ A0 -A10
D
WE＃
Q
DQ1-4
WE＃
DQ1-4
WE＃
D
WE＃
Q
U9
CAS ＃
RAS ＃
A0-A10
CAS ＃
RAS ＃
U5
CAS ＃
RAS ＃
U6
CAS ＃
RAS ＃
U10
OE ＃ A0 -A10
OE ＃ A0 -A10
A0-A10
CAS1#
WE＃
11
11
11
11
11
11
DQ19
DQ27
DQ28
DQ36
DQ1-4
WE＃
U3
CAS2#
RAS2#
CAS ＃
RAS ＃
OE ＃ A0 -A10
DQ1-4
WE＃
U4
CAS ＃
RAS ＃
OE ＃ A0 -A10
D
WE＃
Q
DQ1-4
WE＃
DQ1-4
WE＃
D
WE＃
Q
U11
CAS ＃
RAS ＃
A0-A10
CAS ＃
RAS ＃
U7
CAS ＃
RAS ＃
U8
CAS ＃
RAS ＃
U12
OE ＃ A0 -A10
OE ＃ A0 -A10
A0-A10
CAS3#
A0-A10
11
11
11
11
11
11
V
CC
V
SS
U1-U12
U1-U12
U1 - U8 = 4梅格×4的DRAM
U9 - U12 = 4梅格×1的DRAM
4 ， 8梅格×36奇偶DRAM的SIMM
DM45.pm5 - 修订版3/97
2
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1997,
美光科技公司
