FDP7045L/FDB7045L
2004年3月
FDP7045L/FDB7045L
N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道逻辑电平MOSFET一直
专门设计用于改善的总效率
利用DC / DC转换同步或
传统开关PWM控制器。
这些MOSFET的开关速度和更低的
比其他的MOSFET具有可比性的栅极电荷
R
DS （ ON）
导致DC规格/ DC电源
设计具有更高的整体效率。
特点
100 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 4.5毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 6.0毫欧@ V
GS
= 4.5 V
在指定临界直流电气参数
高温
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
175°C最高结温额定值
D
D
G
G
D
S
TO-220
FDP系列
G
S
TO-263AB
FDB系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
30
±
20
（注1 ）
单位
V
V
A
100
75
300
107
0.7
-55到+175
（注1 ）
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结温范围
W
W / ℃，
°C
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
1.4
62.5
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDB7045L
FDP7045L
设备
FDB7045L
FDP7045L
带尺寸
13’’
管
胶带宽度
24mm
不适用
QUANTITY
800个
45
2004
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDP7045L / FDB7045L版本D1 （ W）
