XC9201
系列
5， FB电压和CFB
关于XC9201D系列中，输出电压由连接在外部的分压电阻设置。该输出电压由所确定的
下面示出了根据RFB1和RFB2的值方程。在一般情况下， RFB1和RFB2的总和应为1的MEG
或更小。
V
OUT
= 0.9× （ RFB1 + RFB2 ） / RFB2
CFB （相位补偿电容）的值由下面的等式根据RFB1和fzfb的值近似。值
fzfb的应该是10千赫，作为一般规则。
CFB = 1 / （2×
π
X RFB1 X fzfb ）
例如：当RFB1 = 455 kΩ和RFB2 = 100 kΩ的： V
OUT
= 0.9× （ 455 K + 100 K） / 100 K = 4.995 V
： CFB = 1 / （2×
π
X 455的K× 10 K） = 34.98 pF的。
〔内部〕 IC
输出电压
CFB
Rfb1
Rfb2
FB引脚
VERR
0.9V
VERR放大器
5
■使用指南
GApplication
笔记
1. 9201系列是专为与输出陶瓷电容的使用。但是，如果输入和输出之间的电位差过
大，则陶瓷电容器可能不能吸收所产生的高能量开关和振荡可能出现在输出侧。如果输入 -
输出电位差较大时，连接的电解电容器并联，以补偿不充分的电容。
的XC9201系列2. EXT端子被设计成最小化了贯通电流发生在内部电路。但是，在栅极驱动器
外部的PMOS具有为求速度的低阻抗。因此，如果输入电压为高，旁路电容器被安装程
从集成电路向外部PMOS的充电/放电电流可能会导致由于开关EXT端子的动作不稳定的操作。
作为解决此问题，将旁路电容器尽可能靠近集成电路成为可能，从而使电压的变化在V
IN
和V
SS
引脚
引起的切换最小化。如果这不是有效的，插入的几个电阻到几十之间EXT端子和PMOS欧姆
门。记住，一个电阻器的插入减慢开关速度，并可能导致效率降低。
3.一个PNP型晶体管来代替PMOS管的使用。如果使用的是PNP晶体管，之间插入EXT端子和一个电阻（Rb ）和电容（ CB）
所述PNP晶体管的顺序的基础，以限制基极电流而不会降低开关速度。的范围内的500Ω至1kΩ的调整的Rb
根据晶体管的负载和hFE参数。使用陶瓷电容器Cb的，用的Cb <遵守1 / （2×
π
X铷X FOSC ×0.7 ） ，作为一项规则。
〔内部〕 IC
EXT引脚
Rb
V
IN
Cb
4.该IC集成了限流比较器来监控电压产生接R
SEN
电阻器的线圈的电流的峰值。它的功能是
限幅时，例如，输出被短路。在这种情况下，限流比较感测到穿过R上的电压
SEN
电阻器
已经达到了一个限流电压（通常为150mV ），并输出一个信号以关闭外部晶体管。后感测电流限制
电压的限制比较一般需要200nsec它关闭前的外部电阻。在这段时间内，在整个R上的电压
SEN
电阻器可以超过限流电压，特别是当输入电压和输出电压之间的差是大和
线圈的电感是小的。因此，在选择绝对最大外部晶体管，线圈的收视率非常小心，并
肖特基二极管。
5.如果输入电压和输出电压之间的差是大还是小，在开关接通时间本IC或OFF时间变
短而实际操作中可以通过线圈的外围组件的电感值进行严格的影响， CLK的连接性，
电容等）使用前的电容，建议与实际单位全面评估该IC 。
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