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概述
该
dt
可见在目前的微处理器可高达
0.3A /纳秒，和高达10A /纳秒。 0.3 A / NS ，寄生100pH
电感会引起的为30mV的电压尖峰。虽然这
听起来是不是很激烈，当VCC为microproces-
感器减少以目前的速度，这可能是一个相当大的
百分比。
另一个重要的，往往忽视了，理由会知道
寄生电感是谐振的计算
频率。这可以是对于高频重要，逐
通过电容器，作为共振点会给出最
信号衰减。谐振频率的计算
从简单的等式：
1
f
水库
=
2 LC
绝缘电阻 -
绝缘电阻的电阻
跨越电容器的端子测量tance和
由主要的平行电阻R的
P
所示
的等效电路。为电容值，因此
的电介质增大面积时， I.R.减小，因此
产品（C X IR或RC ）往往是在欧法拉规定
或更常见的兆欧微法。漏电流
di
由额定电压除以。IR（欧姆测定
法） 。
介电强度 -
介电强度是一个表达式
的材料制成，以承受的电应力的能力。
虽然电介质强度通常以伏特为单位，它
实际上是依赖于电介质的厚度和
因而也是更一般的伏/密耳的功能。
电介质吸收 -
电容不放电
瞬时施加短路，但
水渠逐渐电容经过适当一直显示
收取。它是测量电介质通常的做法
吸收通过确定“再现电压”，这
出现一个电容器上，在某个时间点之后有
在短路情况下被完全放电。
科罗纳 -
电晕是空气或其他蒸汽的电离
这使得它们导通电流。它是特别
在高电压单元盛行，但可发生低电压
以及需要高电压梯度发生。能源
排出降低了电容器的性能，并
能及时导致灾难性的失败。
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